512 جيجا بايت للذاكرة على شريحة واحدة من سامسونج

أعلنت شركة سامسونج عن طرحها لشرائح ذاكرة RAM بسعة 512 جيجابايت بتقنية HKMG و ذلك لمواكبة الطلب المستمر على وحدات الذاكرة و زيادة التطبيقات المتعطشة للذاكرة مثل تطبيقات تحليل البيانات و الذكاء الصناعي.

و اشارت الشركة على أن شرائح الذاكرة مبنية على تقنية DDR 5 و مكونة من ثماني طبقات من رقائق DRAM لكل منها ذاكرة بسعة 16 جيجابايت.

أدى هذا التصميم إلى زيادة السرعة حتى 7200 ميغابت/ثانية، وهو أكثر من ضعف سرعة DDR4 المعروضة في السوق.

وتمكنت الشركة أيضاً من تحقيق كفاءة أفضل في استخدام الطاقة مقارنةً بالوحدات الاقدم حيث تتمتع الشرائح الجديدة باستهلاك أقل للطاقة بنسبة 13%.

يشار هنا ان التقنية HKMG (High-K Metal Gate) تعتبر تقنية حديثة العهد حيث انها ظهرت سنة 2018 و تعتمد على تقنية 28 نانومتر لتصنيع الشرائح الالكترونية.

المصدر: https://www.makeuseof.com/samsung-reveals-hkmg-ram/